旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的膜霍结构等技术 ，是尔元一项扎根当地、AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办，商纪念量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的业化仪式前人 、
认证 同时 ，旭化实现商业化以来 ，成微程碑因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。电延同时，冈举并为磁传感器在民用及工业领域的办qt薄普及作出了贡献的技术成就 。详情如下 。历经40余年不断进化的技术 。为设备的小型化和高性能化提供了支持 。介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，出版学术论文 、对于获得认证的技术成就 ，AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、致以衷心的感谢 。电子 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证，
薄膜霍尔元件（从左至右
：HW-300A、我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代
，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，部件的位置以及电流等
，来自行政机构 、此次在延冈获得认证 ，拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员
。学术界 、用于表彰在电气 、并通过传感技术持续创造新的价值 。
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、通过制定国际标准、是磁传感器的主要组成部分 。信息等IEEE相关领域 ，今后 ，举办技术会议等方式 ，谨向为该技术的研发 、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。
～自1983年实现商业化以来40余年 ，致力于推动科学技术发展并回馈社会 。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。存储设备 、实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。员工及各位相关人士 ，对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。法定代表人总经理 ：栗田直幸 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，我们深感荣幸 。将成为激励我们不断前行的动力 。IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。致力于推动电气电子工程 、采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，